[国内学会発表]

  1. 吉田竜馬、松岡理香、戸坂亜希,重田諭吉、“Si(111)表面に成長させたGe薄膜の固相エピタキシー成長による形状・表面構造変化”(口頭発表)日本物理学会2015年秋季大会、19pCB-8 、関西大学千里山キャンパス、19 Sep. 2015
  2. 萩原裕人、戸坂亜希,重田諭吉、“反射高速電子線回折による菊池パターンを用いたSi(111)表面上のエピタキシャル層の歪み評価”(口頭発表)日本物理学会2015年秋季大会、19pCB-4 、関西大学千里山キャンパス、19 Sep. 2015
  3. 戸坂亜希,杉山卓嘉,小山浩二,重田諭吉、“反射高速電子線回折法による Al2O3(0001)√31×√31±R9°構造の解析2”(口頭発表)日本物理学会2015年秋季大会、16aCB-9 、関西大学千里山キャンパス、16 Sep. 2015
  4. 萩原裕人、戸坂亜希,重田諭吉、“反射高速電子回折による菊池線を用いたSi(111)表面歪みの測定”(口頭発表)日本物理学会第70回年次大会、21a-AB-9、早稲田大学(東京)、2015年3月21日
  5. 吉田竜馬、松岡理香、戸坂亜希、重田諭吉、“Si(111)表面上のGe膜の固相エピタキシー成長に伴う 形状変化”(口頭発表)日本物理学会第70回年次大会、21a-AB-6、早稲田大学(東京)、2015年3月 21日
  6. 戸坂亜希、杉山卓嘉、小山浩二、重田諭吉、”反射高速電子線回折法によるAl2O3(0001)√31×√31R9° 構造の解析”(口頭発表)日本物理学会第70回年次大会、24a-AE-8、早稲田大学(東京)、2015年3 月21日
  7. 石井 卓也 ,戸坂 亜希 ,重田 諭吉、“歪み制御Si(111)√3×√3-Ag 表面上の金属状態”(口頭発表)第61回応用物理学会春季学術講演会、20a-F7-9、青山学院大学(相模原キャンパス)、2014年3月20日 
  8. 中田 淳也,小山 浩司, 戸坂 亜希 ,重田 諭吉、“化学機械研磨処理したGaN(0001)表面の菊池線を用いた格子歪み評価”(口頭発表)第61回応用物理学会春季学術講演会、20a-F7-5、青山学院大学(相模原キャンパス)、2014年3月20日 
  9. 中田淳也,杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”化学機械研磨処理したGaN(0001)表面の昇温による構造変化の反射高速電子線回折法による研究”(口頭発表) 日本物理学会2012年秋期大会、20aFF-9、横浜国立大学、2012年9月20日
  10. 杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”大気中前処理温度条件によるα-Al2O3(0001)面の構造変化(口頭発表)”,日本物理学会2012年秋期大会、20aFF-10、横浜国立大学、2012年9月20日 
  11. 杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”α-Al2O3(0001)表面の構造相転移とステップ形状(口頭)”, 日本物理学会第67回年次大会、24aCC-4、関西学院大学西宮上ケ原キャンパス、2012年3月24日
  12. 杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”α-Al2O3 (0001)表面の構造相転移に与えるステップ構造の影響(ポスター)”、第72回応用物理学会学術講演会,30p-P14-5、山形大学小白川キャンパス、2011年8月30日
  13. 杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”α-Al2O3(0001)表面の構造相転移とステップ形状”、日本物理学会第67回年次大会、24aCC-4、関西学院大学西宮上ケ原キャンパス、2012年3月24日
  14. 杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”α-Al2O3 (0001)表面の構造相転移に与えるステップ構造の影響”、第72回応用物理学会学術講演会, 30p-P14-5, 山形大学小白川キャンパス、2011年8月30日
  15. 望月出海、根岸 良太、重田 諭吉、”歪みによるSi/Ge(111)-√3×√3-Ag表面の電子状態の変化”、日本物理学会第64回年次大会、30aRD-3、(立教学院池袋キャンパス)2009年3月30日
  16. 望月出海,根岸良太、重田諭吉, "Ge/Si(111)-5×5-DAS表面上のAg吸着構造と電子状態"日本物理学会200 8年第63回年次大会,26aTD-3,(近畿大学東大阪キャンパス)2008325

  17.   松井敦央, 重田諭吉,"二探針走査型トンネル顕微鏡における 探針-探針間の自動制御アプローチ"第54回応用物理学関係連合講演会、299-SL-/U、(青山学院大学、神奈川県相模原)2007329

  18.  望月出海,根岸良太、重田諭吉, "Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態と光電子分光"日本物理学会2007年春季大会,20aPS-11,(鹿児島大学、鹿児島)2007320

  19. 望月出海,根岸良太、重田諭吉, Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターにおける表面電子状態” 日本物理学会第61回年次大会, 30pYB-2, (愛媛大学・松山大学、松山) 2006330.
  20. 松井敦央,重田諭吉, ”二探針STMの作製およびその性能評価” 日本物理学会第61回年次大会, 30aPS-43, (愛媛大学・松山大学、松山) 2006330.
  21. 鈴木雅彦,根岸良太、重田諭吉, Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪みと局所電子状態U” 日本物理学会2005年秋季大会, 22aXF-10, (同志社大、京田辺) 2005922.
  22. 望月出海,根岸良太、重田諭吉, Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの表面電子状態” 日本物理学会2005年秋季大会, 22aXF-7, (同志社大、京田辺) 2005922.
  23. 鈴木雅彦,根岸良太、重田諭吉, Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪みと局所電子状態” 日本物理学会第60回年次大会, 25aXC-3, (東京理科大、千葉) 2005325.
  24. 望月出海,根岸良太、重田諭吉, Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化” 日本物理学会第60回年次大会, 25aXC-4, (東京理科大、千葉) 2005325.
  25. 鈴木雅彦,根岸良太、重田諭吉, Si(111)表面上のGeナノアイランドに特有な局所電子状態” 日本物理学会第59回年次大会, 15aPS-69, (青森大学、青森) 2004915.
  26. 鈴木雅彦,根岸良太、重田諭吉, Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態” 日本物理学会秋季大会, 30aWP-4, (九州大学、福岡) 2004330.
  27. 鈴木雅彦、重田諭吉: ”Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態 第44回真空に関する連合講演会 ( 東京、機会振興会館)20031113日.
  28. 根岸良太鈴木雅彦,重田諭吉:”Si(111)基板上に自己形成したAuナノアイランドに対するSTM観察
    、第44回真空に関する連合講演会 (東京、機会振興会館)20031113日.
  29. 鈴木雅彦,重田諭吉:”Si(111)表面上のGeナノアイランドの形成過程U”,日本物理学会  2003年秋季大会( 岡山市、岡山大学津島キャンパス) 2003920日.
  30. 根岸良太鈴木雅彦,重田諭吉:”Si(111)基板上に自己形成したSiナノ構造に対する表面電子状態の光電子分光測定 日本物理学会 第58回年次大会( 仙台市川内:東北大学) 2003331日.
  31. 舘田潤,重田諭吉:”Si(111)√3×√3-Bからのトンネルスペクトルの解析と評価 日本物理学会 第58回年次大会( 仙台市川内:東北大学) 2003328日.
  32. 鈴木雅彦、重田諭吉: ”Si(111)表面上のGeナノアイランドの形成過程 第43回真空に関する連合講演会 (大坂、千里サイエンスライフセンター)20021016日.
  33. 重田諭吉:”Fast measurement of RHEED rocking curves and its application (RHEEDロッキングカーブの高速測定とその応用)” 応用物理学会東海支部学術講演会 招待講演、名古屋大学、20025月。
  34. 根岸良太,重田諭吉:”Si(111)基板上に自己形成したSiナノスケールアイランドの表面構造と局所電子状態U”,日本物理学会 第57回年次大会( 滋賀県草津市) 2002326日.
  35. 鈴木雅彦,重田諭吉:”Si(111)表面上のGeナノアイランドの形成過程,日本物理学会 第57回年次大会( 滋賀県草津市) 2002326日.
  36. 深谷有喜,重田諭吉:高温領域におけるSi(001)の相転移に伴う表面構造変化,日本物理学会 第57回年次大会( 滋賀県草津市) 2002325日.
  37. 重田諭吉,深谷有喜:高速ロッキングRHEED”,日本物理学会 第5 7回年次大会 領域910合同シンポジウム (滋賀県草津市) 2002324日.
  38. 深谷有喜,重田諭吉:”Si(111)表面の高温領域における 異方的な異常熱振動 第42回真空に関する連合講演会(東京) 20011019日.
  39. 根岸良太,重田諭吉:”Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの表面構造と局所電子状態 第42回真空に関する連合講演会( 東京) 20011018日.
  40. 根岸良太,重田諭吉:”Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態U” 日本物理学会 2001年秋季大会(徳島市) 20019月19
  41. 鈴木雅彦,益田克行,重田諭吉:”Si(111)面上のGeナノアイランドの形成と構造安定性,日本物理学会 2001年秋季大会(徳島市) 20019月19
  42. 深谷有喜,重田諭吉疑似1次元収束ビームによるRHEEDロッキングカーブの高速測定,日本物理学会 第56回年次大会(八王子市) 2001330日.
  43.  益田克行,鈴木雅彦,重田諭吉:”Si(111)面上のGeナノクラスターのマジック数と安定性,日本物理学会 第56回年次大会(八王子市) 2001329日.
  44.  深谷有喜,重田諭吉:高温Si(111)1x1表面における表面原子の熱振動の異常増大 日本物理学会 第56回年次大会(八王子市) 2001328日.
  45.  根岸良太,重田諭吉:”Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態,日本物理学会 第56回年次大会(八王子市) 2001328日.
  46.  根岸良太,重田諭吉:低温エピタキシーのける特有な表面構造に起因した表面ラフニングII”,日本物理学会 第55回年次大会(新潟) 2000925.
  47.  深谷有喜,重田諭吉:”Si(111)7x7-1x1相転移温度以上の表面構造変化II”, 日本物理学会 第55回年次大会(新潟) 2000925.
  48.  益田克行,重田諭吉:”Si(111)面上の一様なGeナノクラスターの形成,日本物理学会 2000年春の分科会(大阪) 2000324日.
  49.  根岸良太,重田諭吉:低温エピタキシーのける特有な表面構造に起因した表面ラフニング,日本物理学会 2000年春の分科会(大阪) 2000323日.
  50.  深谷有喜,重田諭吉:”Si(111)7x7-1x1相転移温度以上の表面構造変化(II)”,日本物理学会 2000年春の分科会(大阪) 2000323日.
  51.  中村健司,益田克行,重田諭吉:焼鈍によるSi(111) √3x√3-B表面の構造変化,日本物理学会 第54回年次大会(広島) 1999329.
  52.  深谷有喜,重田諭吉:”Si/Si(111)-7x7の初期成長に見られる層構造の安定性,日本物理学会 第54回年次大会(広島) 1999330.
  53.  深谷有喜,重田諭吉:”Si/Si(111)-7x7表面上のホモエピタキシャル成長中の構造変化,日本物理学会 1998年秋の分科会(沖縄) 1998928.