[国内学会発表］

  1. 吉田竜馬、松岡理香、戸坂亜希，重田諭吉、“Si(111)表面に成長させたGe薄膜の固相エピタキシー成長による形状・表面構造変化”（口頭発表）日本物理学会2015年秋季大会、19pCB-8　、関西大学千里山キャンパス、19 Sep. 2015
  2. 萩原裕人、戸坂亜希，重田諭吉、“反射高速電子線回折による菊池パターンを用いたSi(111)表面上のエピタキシャル層の歪み評価”（口頭発表）日本物理学会2015年秋季大会、19pCB-4　、関西大学千里山キャンパス、19 Sep. 2015
  3. 戸坂亜希，杉山卓嘉，小山浩二，重田諭吉、“反射高速電子線回折法による Al2O3(0001)√31×√31±R9°構造の解析2”（口頭発表）日本物理学会2015年秋季大会、16aCB-9　、関西大学千里山キャンパス、16 Sep. 2015
  4. 萩原裕人、戸坂亜希，重田諭吉、“反射高速電子回折による菊池線を用いたSi(111)表面歪みの測定”（口頭発表）日本物理学会第70回年次大会、21a-AB-9、早稲田大学(東京)、2015年3月21日
  5. 吉田竜馬、松岡理香、戸坂亜希、重田諭吉、“Si(111)表面上のGe膜の固相エピタキシー成長に伴う 形状変化”(口頭発表)日本物理学会第70回年次大会、21a-AB-6、早稲田大学(東京)、2015年3月 21日
  6. 戸坂亜希、杉山卓嘉、小山浩二、重田諭吉、”反射高速電子線回折法によるAl2O3(0001)√31×√31R9° 構造の解析”(口頭発表)日本物理学会第70回年次大会、24a-AE-8、早稲田大学(東京)、2015年3 月21日
  7. 石井 卓也 ，戸坂 亜希 ，重田 諭吉、“歪み制御Si(111)√3×√3-Ag 表面上の金属状態”（口頭発表）第61回応用物理学会春季学術講演会、20a-F7-9、青山学院大学（相模原キャンパス）、2014年3月20日　
  8. 中田 淳也，小山 浩司, 戸坂 亜希 ，重田 諭吉、“化学機械研磨処理したGaN(0001)表面の菊池線を用いた格子歪み評価”（口頭発表）第61回応用物理学会春季学術講演会、20a-F7-5、青山学院大学（相模原キャンパス）、2014年3月20日　
  9. 中田淳也,杉山卓嘉，小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”化学機械研磨処理したGaN(0001)表面の昇温による構造変化の反射高速電子線回折法による研究”（口頭発表） 日本物理学会2012年秋期大会、20aFF-9、横浜国立大学、2012年9月20日
  10. 杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”大気中前処理温度条件によるα-Al2O3(0001)面の構造変化（口頭発表）”，日本物理学会2012年秋期大会、20aFF-10、横浜国立大学、2012年9月20日　
  11. 杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”α-Al2O3(0001)表面の構造相転移とステップ形状(口頭)”，　日本物理学会第67回年次大会、24aCC-4、関西学院大学西宮上ケ原キャンパス、2012年3月24日
  12. 杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”α-Al2O3 (0001)表面の構造相転移に与えるステップ構造の影響(ポスター)”、第72回応用物理学会学術講演会,30p-P14-5、山形大学小白川キャンパス、2011年8月30日
  13. 杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”α-Al2O3(0001)表面の構造相転移とステップ形状”、日本物理学会第67回年次大会、24aCC-4、関西学院大学西宮上ケ原キャンパス、2012年3月24日
  14. 杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”α-Al2O3 (0001)表面の構造相転移に与えるステップ構造の影響”、第72回応用物理学会学術講演会,　30p-P14-5,　山形大学小白川キャンパス、2011年8月30日
  15. 望月出海、根岸 良太、重田 諭吉、”歪みによるSi/Ge(111)-√3×√3-Ag表面の電子状態の変化”、日本物理学会第64回年次大会、30aRD-3、（立教学院池袋キャンパス）2009年3月30日

  16. 望月出海、,根岸良太、重田諭吉, "Ge/Si(111)-5×5-DAS表面上のAg吸着構造と電子状態"日本物理学会２００ ８年第６３回年次大会,26aTD-3,（近畿大学東大阪キャンパス）2008年3月25日

  17.   松井敦央, 重田諭吉,"二探針走査型トンネル顕微鏡における 探針-探針間の自動制御アプローチ"第５４回応用物理学関係連合講演会、299-SL-/U、（青山学院大学、神奈川県相模原）2007年3月29日

  18.  望月出海、,根岸良太、重田諭吉, "Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態と光電子分光"日本物理学会２００７年春季大会,20aPS-11,（鹿児島大学、鹿児島）2007年3月20日

  19. 望月出海、,根岸良太、重田諭吉, ”Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターにおける表面電子状態” 日本物理学会第61回年次大会, 30pYB-2, （愛媛大学・松山大学、松山） 2006年3月30日.
  20. 松井敦央、,重田諭吉, ”二探針STMの作製およびその性能評価” 日本物理学会第61回年次大会, 30aPS-43, （愛媛大学・松山大学、松山） 2006年3月30日.
  21. 鈴木雅彦、,根岸良太、重田諭吉, ”Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪みと局所電子状態U” 日本物理学会２００５年秋季大会, 22aXF-10, （同志社大、京田辺） 2005年9月22日.
  22. 望月出海、,根岸良太、重田諭吉, ”Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの表面電子状態” 日本物理学会２００５年秋季大会, 22aXF-7, （同志社大、京田辺） 2005年9月22日.
  23. 鈴木雅彦、,根岸良太、重田諭吉, ”Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪みと局所電子状態” 日本物理学会第60回年次大会, 25aXC-3, （東京理科大、千葉） 2005年3月25日.
  24. 望月出海、,根岸良太、重田諭吉, ”Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化” 日本物理学会第60回年次大会, 25aXC-4, （東京理科大、千葉） 2005年3月25日.
  25. 鈴木雅彦、,根岸良太、重田諭吉, ”Si(111)表面上のGeナノアイランドに特有な局所電子状態” 日本物理学会第59回年次大会, 15aPS-69, （青森大学、青森） 2004年9月15日.
  26. 鈴木雅彦、,根岸良太、重田諭吉, ”Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態” 日本物理学会秋季大会, 30aWP-4, （九州大学、福岡） 2004年3月30日.
  27. 鈴木雅彦、重田諭吉： ”Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態”　第４４回真空に関する連合講演会　（ 東京、機会振興会館）2003年11月13日．
  28. 根岸良太，鈴木雅彦，重田諭吉：”Si(111)基板上に自己形成したAuナノアイランドに対するSTM観察
    ”    、第４４回真空に関する連合講演会　（東京、機会振興会館）2003年11月13日．
  29. 鈴木雅彦，重田諭吉：”Si(111)表面上のGeナノアイランドの形成過程U”，日本物理学会　 ２００３年秋季大会（ 岡山市、岡山大学津島キャンパス）　2003年9月20日．
  30. 根岸良太，鈴木雅彦，重田諭吉：”Si(111)基板上に自己形成したSiナノ構造に対する表面電子状態の光電子分光測定”　日本物理学会　第５８回年次大会（ 仙台市川内：東北大学）　2003年3月31日．
  31. 舘田潤，重田諭吉：”Si(111)√3×√3-Bからのトンネルスペクトルの解析と評価”　日本物理学会　第５８回年次大会（ 仙台市川内：東北大学）　2003年3月28日．
  32. 鈴木雅彦、重田諭吉： ”Si(111)表面上のGeナノアイランドの形成過程”　第４３回真空に関する連合講演会　（大坂、千里サイエンスライフセンター）2002年10月16日．
  33. 重田諭吉：”Fast measurement of RHEED rocking curves and its application (RHEEDロッキングカーブの高速測定とその応用)”　応用物理学会東海支部学術講演会　招待講演、名古屋大学、2002年5月。
  34. 根岸良太，重田諭吉：”Si(111)基板上に自己形成したSiナノスケールアイランドの表面構造と局所電子状態U”，日本物理学会　第５７回年次大会（ 滋賀県草津市）　2002年3月26日．
  35. 鈴木雅彦，重田諭吉：”Si(111)表面上のGeナノアイランドの形成過程”，日本物理学会　第５７回年次大会（ 滋賀県草津市）　2002年3月26日．
  36. 深谷有喜，重田諭吉：”高温領域におけるSi(001)の相転移に伴う表面構造変化”，日本物理学会　第５７回年次大会（ 滋賀県草津市）　2002年3月25日．
  37. 重田諭吉,深谷有喜：”高速ロッキングRHEED”，日本物理学会　第５ ７回年次大会　領域9・10合同シンポジウム　（滋賀県草津市）　2002年3月24日．
  38. 深谷有喜，重田諭吉：”Si(111)表面の高温領域における 異方的な異常熱振動”　第４２回真空に関する連合講演会（東京）　2001年10月19日．
  39. 根岸良太，重田諭吉：”Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの表面構造と局所電子状態”， 第４２回真空に関する連合講演会（ 東京）　2001年10月18日．
  40. 根岸良太，重田諭吉：”Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態U”， 日本物理学会　２００１年秋季大会（徳島市）　2001年9月１9日
  41. 鈴木雅彦，益田克行，重田諭吉：”Si(111)面上のGeナノアイランドの形成と構造安定性”，日本物理学会　２００１年秋季大会（徳島市）　2001年9月１9日
  42. 深谷有喜，重田諭吉：”疑似１次元収束ビームによるRHEEDロッキングカーブの高速測定”，日本物理学会　第５６回年次大会（八王子市）　2001年3月30日．
  43.  益田克行，鈴木雅彦，重田諭吉：”Si(111)面上のGeナノクラスターのマジック数と安定性”，日本物理学会　第５６回年次大会（八王子市）　2001年3月29日．
  44.  深谷有喜，重田諭吉：”高温Si(111)1x1表面における表面原子の熱振動の異常増大”　日本物理学会　第５６回年次大会（八王子市）　2001年3月28日．
  45.  根岸良太，重田諭吉：”Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態”，日本物理学会　第５６回年次大会（八王子市）　2001年3月28日．
  46.  根岸良太，重田諭吉：”低温エピタキシーのける特有な表面構造に起因した表面ラフニングII”，日本物理学会　第５５回年次大会（新潟）　2000年9月25日.
  47.  深谷有喜，重田諭吉：”Si(111)7x7-1x1相転移温度以上の表面構造変化II”,　日本物理学会　第５５回年次大会（新潟）　2000年9月25日.
  48.  益田克行，重田諭吉：”Si(111)面上の一様なGeナノクラスターの形成”，日本物理学会　2000年春の分科会（大阪）　2000年3月24日．
  49.  根岸良太，重田諭吉：”低温エピタキシーのける特有な表面構造に起因した表面ラフニング”，日本物理学会　2000年春の分科会（大阪）　2000年3月23日．
  50.  深谷有喜，重田諭吉：”Si(111)7x7-1x1相転移温度以上の表面構造変化(II)”，日本物理学会　2000年春の分科会（大阪）　2000年3月23日．
  51.  中村健司，益田克行，重田諭吉：”焼鈍によるSi(111) √3x√3-B表面の構造変化”，日本物理学会　第５４回年次大会（広島）　1999年3月29日.
  52.  深谷有喜，重田諭吉：”Si/Si(111)-7x7の初期成長に見られる層構造の安定性”，日本物理学会　第５４回年次大会（広島）　1999年3月30日.
  53.  深谷有喜，重田諭吉：”Si/Si(111)-7x7表面上のホモエピタキシャル成長中の構造変化”，日本物理学会　１９９８年秋の分科会（沖縄）　1998年9月28日.