-
吉田竜馬、松岡理香、戸坂亜希,重田諭吉、“Si(111)表面に成長させたGe薄膜の固相エピタキシー成長による形状・表面構造変化”(口頭発表)日本物理学会2015年秋季大会、19pCB-8 、関西大学千里山キャンパス、19 Sep. 2015
-
萩原裕人、戸坂亜希,重田諭吉、“反射高速電子線回折による菊池パターンを用いたSi(111)表面上のエピタキシャル層の歪み評価”(口頭発表)日本物理学会2015年秋季大会、19pCB-4 、関西大学千里山キャンパス、19 Sep. 2015
-
戸坂亜希,杉山卓嘉,小山浩二,重田諭吉、“反射高速電子線回折法による
Al2O3(0001)√31×√31±R9°構造の解析2”(口頭発表)日本物理学会2015年秋季大会、16aCB-9 、関西大学千里山キャンパス、16 Sep. 2015
-
萩原裕人、戸坂亜希,重田諭吉、“反射高速電子回折による菊池線を用いたSi(111)表面歪みの測定”(口頭発表)日本物理学会第70回年次大会、21a-AB-9、早稲田大学(東京)、2015年3月21日
-
吉田竜馬、松岡理香、戸坂亜希、重田諭吉、“Si(111)表面上のGe膜の固相エピタキシー成長に伴う
形状変化”(口頭発表)日本物理学会第70回年次大会、21a-AB-6、早稲田大学(東京)、2015年3月
21日
-
戸坂亜希、杉山卓嘉、小山浩二、重田諭吉、”反射高速電子線回折法によるAl2O3(0001)√31×√31R9° 構造の解析”(口頭発表)日本物理学会第70回年次大会、24a-AE-8、早稲田大学(東京)、2015年3
月21日
-
石井 卓也 ,戸坂 亜希 ,重田 諭吉、“歪み制御Si(111)√3×√3-Ag 表面上の金属状態”(口頭発表)第61回応用物理学会春季学術講演会、20a-F7-9、青山学院大学(相模原キャンパス)、2014年3月20日
-
中田 淳也,小山 浩司, 戸坂 亜希 ,重田 諭吉、“化学機械研磨処理したGaN(0001)表面の菊池線を用いた格子歪み評価”(口頭発表)第61回応用物理学会春季学術講演会、20a-F7-5、青山学院大学(相模原キャンパス)、2014年3月20日
-
中田淳也,杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”化学機械研磨処理したGaN(0001)表面の昇温による構造変化の反射高速電子線回折法による研究”(口頭発表)
日本物理学会2012年秋期大会、20aFF-9、横浜国立大学、2012年9月20日
-
杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”大気中前処理温度条件によるα-Al2O3(0001)面の構造変化(口頭発表)”,日本物理学会2012年秋期大会、20aFF-10、横浜国立大学、2012年9月20日
-
杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”α-Al2O3(0001)表面の構造相転移とステップ形状(口頭)”, 日本物理学会第67回年次大会、24aCC-4、関西学院大学西宮上ケ原キャンパス、2012年3月24日
-
杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”α-Al2O3 (0001)表面の構造相転移に与えるステップ構造の影響(ポスター)”、第72回応用物理学会学術講演会,30p-P14-5、山形大学小白川キャンパス、2011年8月30日
-
杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”α-Al2O3(0001)表面の構造相転移とステップ形状”、日本物理学会第67回年次大会、24aCC-4、関西学院大学西宮上ケ原キャンパス、2012年3月24日
-
杉山卓嘉,小山浩司,戸坂亜希,重田諭吉、”α-Al2O3 (0001)表面の構造相転移に与えるステップ構造の影響”、第72回応用物理学会学術講演会, 30p-P14-5, 山形大学小白川キャンパス、2011年8月30日
-
望月出海、根岸
良太、重田 諭吉、”歪みによるSi/Ge(111)-√3×√3-Ag表面の電子状態の変化”、日本物理学会第64回年次大会、30aRD-3、(立教学院池袋キャンパス)2009年3月30日
-
望月出海、,根岸良太、重田諭吉,
"Ge/Si(111)-5×5-DAS表面上のAg吸着構造と電子状態"日本物理学会200
8年第63回年次大会,26aTD-3,(近畿大学東大阪キャンパス)2008年3月25日
-
松井敦央,
重田諭吉,"二探針走査型トンネル顕微鏡における
探針-探針間の自動制御アプローチ"第54回応用物理学関係連合講演会、299-SL-/U、(青山学院大学、神奈川県相模原)2007年3月29日
-
望月出海、,根岸良太、重田諭吉,
"Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態と光電子分光"日本物理学会2007年春季大会,20aPS-11,(鹿児島大学、鹿児島)2007年3月20日
-
望月出海、,根岸良太、重田諭吉,
”Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターにおける表面電子状態”
日本物理学会第61回年次大会, 30pYB-2,
(愛媛大学・松山大学、松山) 2006年3月30日.
-
松井敦央、,重田諭吉,
”二探針STMの作製およびその性能評価” 日本物理学会第61回年次大会,
30aPS-43, (愛媛大学・松山大学、松山) 2006年3月30日.
-
鈴木雅彦、,根岸良太、重田諭吉,
”Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪みと局所電子状態U”
日本物理学会2005年秋季大会, 22aXF-10, (同志社大、京田辺)
2005年9月22日.
-
望月出海、,根岸良太、重田諭吉,
”Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの表面電子状態”
日本物理学会2005年秋季大会, 22aXF-7, (同志社大、京田辺)
2005年9月22日.
-
鈴木雅彦、,根岸良太、重田諭吉,
”Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪みと局所電子状態”
日本物理学会第60回年次大会, 25aXC-3,
(東京理科大、千葉) 2005年3月25日.
-
望月出海、,根岸良太、重田諭吉,
”Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化”
日本物理学会第60回年次大会, 25aXC-4,
(東京理科大、千葉) 2005年3月25日.
-
鈴木雅彦、,根岸良太、重田諭吉,
”Si(111)表面上のGeナノアイランドに特有な局所電子状態”
日本物理学会第59回年次大会, 15aPS-69,
(青森大学、青森) 2004年9月15日.
-
鈴木雅彦、,根岸良太、重田諭吉,
”Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態”
日本物理学会秋季大会, 30aWP-4, (九州大学、福岡)
2004年3月30日.
-
鈴木雅彦、重田諭吉:
”Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態” 第44回真空に関する連合講演会 (
東京、機会振興会館)2003年11月13日.
-
根岸良太,鈴木雅彦,重田諭吉:”Si(111)基板上に自己形成したAuナノアイランドに対するSTM観察
”、第44回真空に関する連合講演会 (東京、機会振興会館)2003年11月13日.
-
鈴木雅彦,重田諭吉:”Si(111)表面上のGeナノアイランドの形成過程U”,日本物理学会
2003年秋季大会( 岡山市、岡山大学津島キャンパス) 2003年9月20日.
-
根岸良太,鈴木雅彦,重田諭吉:”Si(111)基板上に自己形成したSiナノ構造に対する表面電子状態の光電子分光測定” 日本物理学会 第58回年次大会(
仙台市川内:東北大学) 2003年3月31日.
-
舘田潤,重田諭吉:”Si(111)√3×√3-Bからのトンネルスペクトルの解析と評価” 日本物理学会 第58回年次大会(
仙台市川内:東北大学) 2003年3月28日.
-
鈴木雅彦、重田諭吉:
”Si(111)表面上のGeナノアイランドの形成過程” 第43回真空に関する連合講演会 (大坂、千里サイエンスライフセンター)2002年10月16日.
-
重田諭吉:”Fast
measurement of RHEED rocking curves and its application (RHEEDロッキングカーブの高速測定とその応用)” 応用物理学会東海支部学術講演会 招待講演、名古屋大学、2002年5月。
-
根岸良太,重田諭吉:”Si(111)基板上に自己形成したSiナノスケールアイランドの表面構造と局所電子状態U”,日本物理学会 第57回年次大会(
滋賀県草津市) 2002年3月26日.
-
鈴木雅彦,重田諭吉:”Si(111)表面上のGeナノアイランドの形成過程”,日本物理学会 第57回年次大会(
滋賀県草津市) 2002年3月26日.
-
深谷有喜,重田諭吉:”高温領域におけるSi(001)の相転移に伴う表面構造変化”,日本物理学会 第57回年次大会(
滋賀県草津市) 2002年3月25日.
-
重田諭吉,深谷有喜:”高速ロッキングRHEED”,日本物理学会 第5
7回年次大会 領域9・10合同シンポジウム (滋賀県草津市) 2002年3月24日.
-
深谷有喜,重田諭吉:”Si(111)表面の高温領域における
異方的な異常熱振動” 第42回真空に関する連合講演会(東京) 2001年10月19日.
-
根岸良太,重田諭吉:”Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの表面構造と局所電子状態”, 第42回真空に関する連合講演会(
東京) 2001年10月18日.
-
根岸良太,重田諭吉:”Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態U”, 日本物理学会 2001年秋季大会(徳島市) 2001年9月19日
-
鈴木雅彦,益田克行,重田諭吉:”Si(111)面上のGeナノアイランドの形成と構造安定性”,日本物理学会 2001年秋季大会(徳島市) 2001年9月19日
-
深谷有喜,重田諭吉:”疑似1次元収束ビームによるRHEEDロッキングカーブの高速測定”,日本物理学会 第56回年次大会(八王子市) 2001年3月30日.
-
益田克行,鈴木雅彦,重田諭吉:”Si(111)面上のGeナノクラスターのマジック数と安定性”,日本物理学会 第56回年次大会(八王子市) 2001年3月29日.
-
深谷有喜,重田諭吉:”高温Si(111)1x1表面における表面原子の熱振動の異常増大” 日本物理学会 第56回年次大会(八王子市) 2001年3月28日.
-
根岸良太,重田諭吉:”Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態”,日本物理学会 第56回年次大会(八王子市) 2001年3月28日.
-
根岸良太,重田諭吉:”低温エピタキシーのける特有な表面構造に起因した表面ラフニングII”,日本物理学会 第55回年次大会(新潟) 2000年9月25日.
-
深谷有喜,重田諭吉:”Si(111)7x7-1x1相転移温度以上の表面構造変化II”, 日本物理学会 第55回年次大会(新潟) 2000年9月25日.
-
益田克行,重田諭吉:”Si(111)面上の一様なGeナノクラスターの形成”,日本物理学会 2000年春の分科会(大阪) 2000年3月24日.
-
根岸良太,重田諭吉:”低温エピタキシーのける特有な表面構造に起因した表面ラフニング”,日本物理学会 2000年春の分科会(大阪) 2000年3月23日.
-
深谷有喜,重田諭吉:”Si(111)7x7-1x1相転移温度以上の表面構造変化(II)”,日本物理学会 2000年春の分科会(大阪) 2000年3月23日.
-
中村健司,益田克行,重田諭吉:”焼鈍によるSi(111)
√3x√3-B表面の構造変化”,日本物理学会 第54回年次大会(広島) 1999年3月29日.
-
深谷有喜,重田諭吉:”Si/Si(111)-7x7の初期成長に見られる層構造の安定性”,日本物理学会 第54回年次大会(広島) 1999年3月30日.
-
深谷有喜,重田諭吉:”Si/Si(111)-7x7表面上のホモエピタキシャル成長中の構造変化”,日本物理学会 1998年秋の分科会(沖縄) 1998年9月28日.